窒化ガリウム、D級オーディオの音質と効率を向上

　EDN Japan
　https://edn.itmedia.co.jp/edn/articles/1612/05/news019.html
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　窒化ガリウム（GaN）ベースのスイッチング・トランジスタを用いたD級オーディオ・アンプの実用化が始まっている。

　Efficient Power Conversion（EPC）のエンハンスメント・モードGaN（eGaN）トランジスタは、蓄積電荷がゼロで、Si-MOSFETよりも最大10倍高速にスイッチングできます。eGaN FETの高速スイッチングによって、アンプの設計者は、PWMスイッチング周波数を高めることができ、デッドタイムを短縮し、フィードバック量を劇的に低減することができます。つまり、これまで、大規模かつ複雑で重いA級アンプ・システムに限定されていた音質を実現できます。

　Elegant Audio Solutionsは、eGaNトランジスタを用いたD級アンプ（型番：eGaNAMP2016）を生産しています。
　連続出力で8Ωのスピーカ負荷に200W、4Ω負荷に400Wの電力を供給でき、THD＋Nは0.005％と低く、非常に小さなフィードバック量で済んでいます。



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　Ｄ級アンプも、新素子の登場で高性能になりつつ有るようです。
　私事ですが、過去にフルデジタルアンプの改造を手掛けたことがあります。
　そのアンプの音質は、スッキリとしていて、低域はぐっと沈み込んでいい音でした。
　（ヒートシンクなしで、20Ｗ＋20Ｗの出力でした）

　使っていたのは、テキサスインスツルメント社のチップでしたが、FETの駆動周波数は400ＫＨＺだったと記憶しています。　
　これ以上の高速駆動では、正常にFETがスイッチングできず、＋と－の切り替えが正常にできないとのことでした。
　（Ｄクラスアンプは、プラスマイナスのスイッチング時に比較的長い時間のデッドタイムが必要）
　これが限界まで短縮できるのであれば、超効率的で低歪な増幅が可能になるようです。
　自作オーディオマニアには、あまり関係はないかもしれませんが、超低価格で超高性能なアンプという、恐ろしい時代がやってきそうですね。